型號(hào): | BD241A |
廠商: | Transys Electronics Ltd. |
英文描述: | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
中文描述: | NPN硅功率晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 97K |
代理商: | BD241A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BD241B | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
BD241 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
BD241C | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
BD241B | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
BD241 | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BD241A_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
BD241A_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:NPN power transistors |
BD241A-A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD241A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD241ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |