參數(shù)資料
型號(hào)： BD227
英文描述： PNP Power Transistors
中文描述： PNP功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： BD227
1997 Mar 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD227; BD229; BD231
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to TO-126; SOT32 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BD227
BD229
BD231
collector-emitter voltage
BD227
BD229
BD231
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
45
60
80
5
1.5
3
1
12.5
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
mb
≤
62
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
note 1
100
7
K/W
K/W
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PDF描述
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