參數(shù)資料
型號(hào)： BD227
英文描述： PNP Power Transistors
中文描述： PNP功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： BD227
1997 Mar 04
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD227; BD229; BD231
FEATURES
High current (max. 1.5 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
Driver stages in television circuits.
DESCRIPTION
PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic
package. NPN complements: BD226, BD228 and BD230.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
emitter
collector, connected to metal part of
mounting surface
base
3
Fig.1
Simplified outline (TO-126; SOT32)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM272
1
2
3
Top view
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BD227
BD229
BD231
collector-emitter voltage
BD227
BD229
BD231
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
40
25
50
45
60
80
3
12.5
250
V
V
V
A
W
I
CM
P
tot
h
FE
T
mb
≤
62
°
C
I
C
=
150 mA; V
CE
=
2 V
I
C
=
1 A; V
CE
=
2 V
I
C
=
50 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
f
T
transition frequency
MHz
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PDF描述
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