型號(hào): | BD175-6 |
英文描述: | SEMICONDUCTOR DEVICE - SI |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 45V的五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至126 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 28K |
代理商: | BD175-6 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BD176-16 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
BD177-10 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:50pF RoHS Compliant: Yes |
BD177-6 | DIODE SIDACTOR 77V 200A 2P SMT LF |
BD178-10 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
BD178-6 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BD1756STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD176 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
BD176-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
BD17610STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD176-16 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |