參數(shù)資料
型號(hào)： BD140-16
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PNP power transistors
中文描述： 1.5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： BD140-16
1999 Apr 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD136; BD138; BD140
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e1
L
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.88
0.65
2.7
2.3
0.60
0.45
11.1
10.5
7.8
7.2
2.29
e
4.58
0.254
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
16.5
15.3
1.5
0.9
L1
(1)
max
2.54
SOT32
TO-126
97-03-04
0
2.5
5 mm
scale
A
Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads
SOT32
D
P1
P
E
e1
A
L
Q
c
bp
1
2
3
L1
w
M
e
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD136-25 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD138-25 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
BD140.10 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):1A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
BD140-25 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD140 PNP power transistor(PNP功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD14016S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD14016STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD14016STU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V
BD140-25 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD1406 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications
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