參數(shù)資料
型號： BD140.10
英文描述： Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):1A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至126
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BD140.10
1999 Apr 12
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD136; BD138; BD140
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to TO-126 (SOT32) standard mounting conditions.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
note 1
100
10
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
100
10
100
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
E
= 0; V
CB
=
30 V; T
j
= 125
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
V
CE
=
2 V; (see Fig.2)
I
C
=
5 mA
I
C
=
150 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
150 mA; V
CE
=
2 V;
(see Fig.2)
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
63
25
250
DC current gain
BD136-10; BD138-10; BD140-10
BD136-16; BD138-16; BD140-16
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
63
100
160
160
250
0.5
1
V
CEsat
V
BE
f
T
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; V
CE
=
2 V
I
C
=
50 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
I
C
= 150 mA;
V
CE
= 2 V
V
V
MHz
DC current gain ratio of the
complementary pairs
1.3
1.6
h
h
FE2
-----------
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD140-25 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD140 PNP power transistor(PNP功率晶體管)
BD136-10 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
BD136-16 PNP power transistors
BD136 PNP SILICON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD14010S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD14010STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD14016 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications
BD140-16 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon Trnsistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD14016S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*