型號(hào): | BD136-16 |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | PNP power transistors |
中文描述: | 1.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
封裝: | PLASTIC, TO-126, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/8頁(yè) |
文件大小: | 44K |
代理商: | BD136-16 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BD136 | PNP SILICON TRANSISTORS |
BD139-10 | NPN power transistors |
BD137 | NPN power transistors |
BD139 | NPN power transistors |
BD139-16 | NPN power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BD13616S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD13616STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD136-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
BD1366 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications |
BD136-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |