- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369446 > BD138-25 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BD138-25 |
| 英文描述： | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至126 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | BD138-25 |
1999 Apr 12
7
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD136; BD138; BD140
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD140.10 | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):1A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes |
| BD140-25 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| BD140 | PNP power transistor(PNP功率晶體管) |
| BD136-10 | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes |
| BD136-16 | PNP power transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD1386 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications |
| BD138-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS |
| BD1386S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD1386STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD138G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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