參數(shù)資料
型號： BD136-25
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至126
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： BD136-25
1999 Apr 12
7
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD136; BD138; BD140
NOTES
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PDF描述
BD138-25 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
BD140.10 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):1A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
BD140-25 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD140 PNP power transistor(PNP功率晶體管)
BD136-10 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
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