參數(shù)資料
型號： BD136-25
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|至126
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： BD136-25
1999 Apr 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistors
BD136; BD138; BD140
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e1
L
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.88
0.65
2.7
2.3
0.60
0.45
11.1
10.5
7.8
7.2
2.29
e
4.58
0.254
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
16.5
15.3
1.5
0.9
L1
(1)
max
2.54
SOT32
TO-126
97-03-04
0
2.5
5 mm
scale
A
Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads
SOT32
D
P1
P
E
e1
A
L
Q
c
bp
1
2
3
L1
w
M
e
相關PDF資料
PDF描述
BD138-25 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
BD140.10 Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On State RMS Current, IT(rms):1A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
BD140-25 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD140 PNP power transistor(PNP功率晶體管)
BD136-10 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:20; No. Strands x Strand Size:7 x 28; Jacket Color:Green; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
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