參數(shù)資料
型號(hào)： BD132
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP power transistor
中文描述： 3 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： BD132
1997 Mar 04
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistor
BD132
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
10
50
300
700
1.2
1.5
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
40 V
I
E
= 0; V
CB
=
40 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
3 V
I
C
=
0.5 A; V
CE
=
12 V
I
C
=
2 A; V
CE
=
1 V; see Fig.2
I
C
=
0.5 A; I
B
=
50 mA
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA
I
C
=
0.5 A; I
B
=
50 mA
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA
I
C
=
0.25 A; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C
40
20
60
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
V
V
MHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
f
T
transition frequency
handbook, full pagewidth
0
10
1
80
hFE
40
120
MGD841
1
IC (mA)
10
10
2
10
4
10
3
Fig.2 DC current gain; typical values.
V
CE
=
1 V.
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