參數(shù)資料
型號(hào)： BD132
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP power transistor
中文描述： 3 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： BD132
1997 Mar 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP power transistor
BD132
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to TO-126; SOT32 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
45
45
4
3
6
0.5
15
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
≤
60
°
C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
note 1
100
6
K/W
K/W
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