參數(shù)資料
型號： BD130
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁|第15A一（c）|至3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： BD130
COMSET SEMICONDUCTORS
2/3
BD130
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
Ratings
Value
Unit
R
thJ-C
Thermal Resistance, Junction to Case
1.55
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25°C unless otherwise noted
Symbol
Ratings
Test Condition(s)
Min Typ Mx
Unit
V
CEO(BR)
Collector-Emitter
Breakdown Voltage (*)
I
C
=200 mA, I
B
=0
60
V
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation
Voltage (*)
I
C
=4 A, I
B
=0.4 A
-
0.5
1.1
V
V
CE
=100 V
V
BE
=-1.5 V
-
-
0.5
I
CEX
Collector-Emitter Cutoff
Current
V
CE
=100 V
V
BE
=-1.5 V
T
CASE
=150°C
-
-
30
mA
I
EBO
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
=7 V
-
-
5.0
mA
V
BE
Base-Emitter Voltage (*)
I
C
=4.0 A, V
CE
=4.0V
-
0.95
1.8
V
f
T
Transition Frequency
I
C
=0.1 A, V
CE
=4 V
1.1
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD167 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:6V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA
BD168 Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:DO-214AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:6V; Capacitance:100pF; Holding Current:50mA
BD170 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD226 NPN Power Transistors
BD228 NPN Power Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD130_12 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON TRANSISTOR HOMOBASE
BD13003B 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Plastic Encapsulated Transistor
BD-130R 制造商:SK Kohki 功能描述:
BD131 制造商:. 功能描述:
BD131/BD132 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NPN power transistor pair,BD131/BD132 3A
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*