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BCY59	NPN switching transistors
BCY59	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
BCY59DCSM	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| LLCC
BCY59IX	NPN switching transistors
BCY59VII	NPN switching transistors

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BCY59

NPN switching transistors

BCY59

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BCY59DCSM

BCY59IX

NPN switching transistors

BCY59VII

NPN switching transistors

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
BCY59IX	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCY59-IX	功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:630 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
BCY59VII	制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN switching transistors
BCY59-VII	功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000
BCY59VIII	功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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BCY59IX

功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

BCY59-IX

功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:630 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000

BCY59VII

制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN switching transistors

BCY59-VII

功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000

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型號：	BCY59DD
英文描述：	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| CHIP
中文描述：	晶體管\|晶體管\|叩\| 45V的五（巴西）總裁\|芯片
文件頁數(shù)：	1/1頁
文件大小：	84K
代理商：	BCY59DD

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