參數(shù)資料
型號： BCY59IX
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN switching transistors
中文描述： NPN開關(guān)晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 84K
代理商： BCY59IX
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PDF描述
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參數(shù)描述
BCY59-IX 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:630 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000
BCY59VII 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN switching transistors
BCY59-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000
BCY59VIII 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCY59-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 2.5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000
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