參數(shù)資料
型號(hào)： BCX56
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BCX56
BCX56–10R1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100
μ
Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
100
–
–
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
80
–
–
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
= 10
μ
Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
–
–
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
–
–
100
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
–
–
10
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3.)
DC Current Gain
(I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 150 mA, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 2.0 V)
h
FE
25
63
25
–
–
–
–
160
–
–
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc)
V
CE(sat)
–
–
0.5
Vdc
Base-Emitter On Voltage
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 2.0 Vdc)
V
BE(on)
–
–
1.0
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current-Gain – Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 35 MHz)
3. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
f
T
–
130
–
MHz
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
h
100
10
1000
100
10
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. DC Current Gain
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -55
°
C
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX56-10-BK SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX56-BH SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX58-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BCX58-9 TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BCX58VII TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX56 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX56,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX56,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX56 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89
BCX56/ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Medium Power Transistor
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