參數(shù)資料
型號： BCX56
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BCX56
BCX56–10R1
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. Current-Gain – Bandwidth Product
f
T
1000
100
10
100
10
1.0
1000
C
80
60
40
20
10
8.0
6.0
4.0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. “On” Voltages
1.0
0.4
0
100
1.0
0.5
500
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.05
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 5. Collector Saturation Region
0.1
0.2
0.5
2.0
5.0
10
20
50
V
V
0.8
0.6
0.2
2.0
5.0
10
20
50
200
1.0
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
50
mA
100mA
T
J
= 25
°
C
250mA
500mA
I
C
= 10mA
T
J
= 25
°
C
C
ibo
C
obo
STEP 1
PREHEAT
ZONE 1
RAMP"
STEP 2
VENT
SOAK"
STEP 3
HEATING
ZONES 2 & 5
RAMP"
STEP 4
HEATING
ZONES 3 & 6
SOAK"
STEP 5
HEATING
ZONES 4 & 7
SPIKE"
170
°
C
STEP 6
VENT
STEP 7
COOLING
200
°
C
150
°
C
100
°
C
50
°
C
TIME (3 TO 7 MINUTES TOTAL)
T
MAX
SOLDER IS LIQUID FOR
40 TO 80 SECONDS
(DEPENDING ON
MASS OF ASSEMBLY)
205
°
TO
219
°
C
PEAK AT
SOLDER
JOINT
DESIRED CURVE FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
DESIRED CURVE FOR HIGH
MASS ASSEMBLIES
100
°
C
150
°
C
160
°
C
140
°
C
Figure 6. Typical Solder Heating Profile
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX56 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX56-10-BK SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX56-BH SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
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BCX58-9 TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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參數(shù)描述
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BCX56,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX56,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX56 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89
BCX56/ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Medium Power Transistor
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