參數(shù)資料
型號(hào)： BCX53-AH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： SOT89進(jìn)步黨硅平面中功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： BCX53-AH
1999 Apr 19
4
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BCX51; BCX52; BCX53
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
100
10
100
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
30 V
I
E
= 0; V
CB
=
30 V; T
j
= 125
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
V
CE
=
2 V; see Fig.2
I
C
=
5 mA
I
C
=
150 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
150 mA; V
CE
=
2 V; see Fig.2
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
63
25
250
DC current gain
BCX51-10; BCX52-10; BCX53-10
BCX51-16; BCX52-16; BCX53-16
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
63
100
50
160
250
500
1
V
CEsat
V
BE
f
T
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
500 mA; V
CE
=
2 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
mV
V
MHz
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
10
1
80
120
40
MBH730
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
4
10
2
VCE =
2 V
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