參數(shù)資料
型號(hào)： BCW68HR
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 82K
代理商： BCW68HR
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –10 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –100 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
(IC = –300 mAdc, VCE = –1.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = –300 mAdc, IB = –30 mAdc)
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
hFE
120
160
60
—
—
—
400
—
—
—
VCE(sat)
VBE(sat)
—
—
–1.5
Vdc
—
—
–2.0
Vdc
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = –20 mAdc, VCE = –10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
—
—
MHz
Output Capacitance
(VCB= –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
—
18
pF
Input Capacitance
(VEB= –0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
—
105
pF
Noise Figure
(IC= –0.2 mAdc, VCE = –5.0 Vdc, RS = 1.0 k
, f = 1.0 kHz,
BW = 200 Hz)
NF
—
—
10
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW68 RES, 56.2K OHM 1% 1/8W
BCW68F PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW68FR PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW68G PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW68H Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW68HR-7N 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW68HRTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68HRTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68HTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68HTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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