參數(shù)資料
型號： BCW68FR
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 82K
代理商： BCW68FR
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
–45
Vdc
Collector–Base Voltage
–60
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–800
mAdc
DEVICE MARKING
BCW68GLT1 = DH
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board (1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –10 mAdc, IB = 0)
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –10
μ
Adc, VEB = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = –10
μ
Adc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE= –45 Vdc, IE = 0)
(VCE= –45 Vdc, IB = 0, TA = 150
°
C)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICES
–45
—
—
Vdc
–60
—
—
Vdc
–5.0
—
—
Vdc
—
—
—
—
–20
–10
nAdc
μ
Adc
Emitter Cutoff Current (VEB = –4.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
–20
nAdc
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
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by BCW68GLT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW68G PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW68H Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW68 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW68F Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW68G Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW68FR-7T 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW68FTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68FTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68FVL 功能描述:BCW68FSOT23TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BCW68G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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