型號: | BCW68FR |
廠商: | ZETEX PLC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
中文描述: | 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | SOT-23, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 82K |
代理商: | BCW68FR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW68G | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
BCW68H | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BCW68 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BCW68F | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
BCW68G | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCW68FR-7T | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
BCW68FTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW68FTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW68FVL | 功能描述:BCW68FSOT23TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 標準包裝:1 |
BCW68G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |