參數(shù)資料
型號： BCW68GL
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）| SOT - 23封裝
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代理商： BCW68GL
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PDF描述
BCW67AL TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BCW67AR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236
BCW67BR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236
BCW67CL TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BCW67CR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW68GLR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
BCW68GLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68GLT1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor
BCW68GLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW68GLT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENRL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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