參數(shù)資料
型號(hào)： BCW67CL
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 32V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 82K
代理商： BCW67CL
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PDF描述
BCW67CR TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236
BCW67 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW67A Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW67B Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW67C Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW67CR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236
BCW67CR-6W 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCW67CTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW67CTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW67R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236
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