型號: | BCW65ATR13LEADFREE |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 93K |
代理商: | BCW65ATR13LEADFREE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW65BBKLEADFREE | 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW61ABK | 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW61BTR | 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW61CTR | 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BD-A54DRD | 7 SEG NUMERIC DISPLAY, SUPER RED, 14.224 mm |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCW65B | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
BCW65BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW65BLR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW65BR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
BCW65BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |