參數(shù)資料
型號(hào)： BCW61BTR
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： BCW61BTR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW61CTR 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BD-A54DRD 7 SEG NUMERIC DISPLAY, SUPER RED, 14.224 mm
BD-A835RD 7 SEG NUMERIC DISPLAY, BRIGHT RED, 20.32 mm
BD-F831RD 7 SEG NUMERIC DISPLAY, RED, 20.32 mm
BD-C401ND-A 7 SEG NUMERIC DISPLAY, RED, 10.16 mm
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61C 制造商:-- 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-236AA 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BCW61C T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61C,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61C,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61C/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
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