型號(hào): | BCW65 |
廠商: | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
英文描述: | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
中文描述: | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大?。?/td> | 90K |
代理商: | BCW65 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW65ALT1 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
BCW67BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
BCW68GL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
BCW67AL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23 |
BCW67AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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bcw65a | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BCW65AL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW65ALR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
BCW65ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW65ALT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor NPN |