參數(shù)資料
型號(hào)： BCW61CLT1
廠商： 樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 通用晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 97K
代理商： BCW61CLT1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW61DLT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BCW61R Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V
BCV71R TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60R TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60RA TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61CR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
BCW61CT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BCW61CT116 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*