參數(shù)資料
型號： BCW61DLT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 通用晶體管（民進黨硅）
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 97K
代理商： BCW61DLT1
相關PDF資料
PDF描述
BCW61R Fuse Holder; Mounting Type:In-Line; Body Material:Thermoset; Current Rating:20A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Wire Size (AWG):14; Number of Fuses:1; Voltage Rating:32V
BCV71R TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60R TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60RA TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW60RC TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BCW61DMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61DR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-236
BCW61DT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA
BCW61DTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW61DTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*