參數(shù)資料
型號： BCP56-16T3
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-261AA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至261AA
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： BCP56-16T3
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 AUGUST 1995
%
FEATURES
*
Suitable for AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP53
PARTMARKING DETAILS
BCP56
BCP56 10
BCP56 16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1.5
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
V
I
C
= 10mA *
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
20
nA
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
10
μ
A
V
EB
=5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BCP56-10
BCP56-16
40
25
63
100
100
160
250
160
250
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
125
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BCP56
C
C
E
B
3 - 18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP56 MEDIUM POWER AMPLIFIER
BCP56 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCP56-10 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCP56-16 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCP56 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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參數(shù)描述
BCP56-16T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 100V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP5616TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP5616TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP56-16TF 功能描述:BCP56-16T/SOT223/SC-73 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
BCP56-16-TP 功能描述:NPN,TRANSISTORS,SOT-223 PKG 制造商:micro commercial co 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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