參數(shù)資料
型號(hào)： BCP56
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： BCP56
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 AUGUST 1995
%
FEATURES
*
Suitable for AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP53
PARTMARKING DETAILS
BCP56
BCP56 10
BCP56 16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
100
V
Collector-Emitter Voltage
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1.5
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
100
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
80
V
I
C
= 10mA *
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
20
nA
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
10
μ
A
V
EB
=5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BCP56-10
BCP56-16
40
25
63
100
100
160
250
160
250
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
125
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BCP56
C
C
E
B
3 - 18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCR08AM14 TRIAC|700V V(DRM)|800MA I(T)RMS|TO-92
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