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參數(shù)資料
| 型號： | BC858A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 小信號PNP晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | BC858A |
THERMAL DATA
R
thj-amb
R
thj-SR
Mountedon a ceramic substrate area = 10 x8 x 0.6mm
Thermal Resistance Junction-Ambient
Thermal Resistance Junction-Substrate
Max
Max
420
330
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CE
= -30 V
V
CE
= -30 V
I
C
= -10
μ
A
for
BC857
for
BC858
T
amb
= 150
o
C
-15
-5
nA
μ
A
V
(BR)CES
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(V
BE
= 0)
-50
-30
V
V
V
(BR)CBO
Collector-Base
Breakdown Voltage
(I
E
= 0)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= -10
μ
A
for
BC857
for
BC858
-50
-30
V
V
I
C
= -2 mA
for
BC857
for
BC858
I
C
= -10
μ
A
for
BC857
for
BC858
-45
-30
V
V
-6
-5
V
V
I
C
= -10 mA
I
C
= -100 mA
I
B
= -0.5 mA
I
B
= -5 mA
-0.09
-0.25
-0.3
-0.65
V
V
I
C
= -10 mA
I
C
= -100 mA
I
B
= -0.5 mA
I
B
= -5 mA
-0.75
-0.9
V
V
V
BE(on)
Base-Emitter On
Voltage
I
C
= -2 mA
I
C
= -10 mA
I
C
= -10
μ
A
for
group A
for
group B
I
C
= -2 mA
for
group A
for
group B
V
CE
= -5 V
V
CE
= -5 V
-0.6
-0.66
-0.72
-0.75
-0.82
V
V
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= -5 V
V
CE
= -5 V
110
200
90
150
180
290
220
450
f
T
Transition Frequency
I
C
= -10 mA V
CE
= -5 V f = 100MHz
I
E
= 0
V
CB
= -10 V
150
MHz
C
CB
Collector Base
Capacitance
Noise Figure
f = 1 MHz
6
pF
NF
V
CE
= -5 V
f = 200 Hz
I
C
= -0.2 mA
R
G
= 2 K
f = 1KHz
2
1.2
10
4
dB
dB
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
BC857/BC858
2/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857A-7 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC858B | High Speed CMOS Logic 14-Stage Binary Counter 16-SOIC -55 to 125 |
| BC857B | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BC857B-7 | High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125 |
| BC858A-7 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC858A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC858A RF | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 |
| BC858A RFG | 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 12 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BC858A_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC858A-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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