參數(shù)資料
型號： BC858B
廠商： DIODES INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed CMOS Logic 14-Stage Binary Counter 16-SOIC -55 to 125
中文描述： 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 44K
代理商： BC858B
BC857
BC858
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
I
SILICON EPITAXIALPLANAR PNP
TRANSISTORS
I
MINIATUREPLASTIC PACKAGEFOR
APPLICATIONIN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
VERYLOW NOISE AF AMPLIFIER
I
NPN COMPLEMENTS FOR BC857 IS BC847
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
October 1997
1
2
3
SOT-23
Type
Marking
BC857A
3E
BC857B
3F
BC858A
3J
BC858B
3K
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BC857
-50
-50
-45
BC858
-30
-30
-30
V
CES
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Peak Current
Emitter Peak Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
V
A
A
A
A
-5
-0.1
-0.2
-0.2
-0.2
300
mW
o
C
o
C
-65 to 150
150
1/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857B PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857B-7 High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
BC858A-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858B-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857A High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC858B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC858B RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23
BC858B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC858B T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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