參數(shù)資料
型號: BC857B/T4
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 158K
代理商: BC857B/T4
2004 Jan 16
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856; BC857; BC858
handbook, halfpage
0
200
300
400
500
hFE
100
MGT711
102
101
1
10
102
103
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857A; VCE = 5 V.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, halfpage
0
1200
1000
800
600
400
200
MGT712
102
101
1
10
102
103
IC (mA)
VBE
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857A; VCE = 5 V.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
handbook, halfpage
104
103
102
10
MGT713
101
1
10
102
103
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857A; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
handbook, halfpage
MGT714
101
1
10
102
103
IC (mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
VBEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857A; IC/IB = 20.
(1) Tamb = 55 °C.
(2) Tamb = 25 °C.
(3) Tamb = 150 °C.
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PDF描述
BC857T/R 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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