參數資料
型號: BC857B/T4
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數: 3/10頁
文件大?。?/td> 158K
代理商: BC857B/T4
2004 Jan 16
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856; BC857; BC858
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 65 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT23 plastic package.
NPN complements: BC846, BC847 and BC848.
MARKING
Note
1.
* = p: made in Hong Kong.
* = t: made in Malaysia.
* = W: made in China.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
BC856
3D*
BC856A
3A*
BC856B
3B*
BC857
3H*
BC857A
3E*
BC857B
3F*
BC857C
3G*
BC858B
3K*
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
handbook, halfpage
2
1
3
MAM256
Top view
2
3
1
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
ORDERING INFORMATION
TYPE
NUMBER
PACKAGE
NAME
DESCRIPTION
VERSION
BC856
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
BC857
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
BC858
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
相關PDF資料
PDF描述
BC857T/R 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC857BT/R 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCL-A2SMYG1 PCB CONNECTOR, SOCKET
BCP-3.3/15-2.5/15-D24L1 2-OUTPUT 50 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
BCR162F 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
BC857BT-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BT-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BTE6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R