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參數(shù)資料
| 型號： | BC850CLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-SOIC -55 to 125 |
| 中文描述： | 高速CMOS邏輯三倍3輸入非門 SOIC-14封裝 工作溫度：-55℃_125℃ |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | BC850CLT1 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Aug 06
1999 Apr 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC849; BC850
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857A.B | CMOS Image Sensor |
| BC857BTT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| BC857BWQ62702C2294 | TRANSISTOR SOT323 |
| BC857CWQ62702C2295 | TRANSISTOR SOT323 |
| BC857CWT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC850CLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC850CMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC850CMTF_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| BC850CT | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon AF Transistors |
| BC850CT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
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