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參數(shù)資料
| 型號： | BC857CWQ62702C2295 |
| 英文描述： | TRANSISTOR SOT323 |
| 中文描述： | 晶體管的SOT323 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | BC857CWQ62702C2295 |
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857CWT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| BC857 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC857A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC857B | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC857C | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC857CWT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857CWT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857F | 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application |
| BC857F_06 | 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:PNP Silicon Transistor |
| BC857G-X-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS |
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