參數(shù)資料
型號(hào)： BC850
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： BC850
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Aug 06
1999 Apr 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC849; BC850
NPN general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC850B Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC850C Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC850 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BC850BLT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC850CLT1 High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC850A 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC850-A-AE3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION
BC850-A-AL3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION
BC850ALT1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB)
BC850AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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