參數(shù)資料
型號(hào)： BC848F
廠商： AUK Corp
英文描述： High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
中文描述： NPN硅晶體管（通用應(yīng)用交換應(yīng)用）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC848F
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1998 Nov 10
1999 May 18
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC846F; BC847F; BC848F series
NPN general purpose transistors
M3D425
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC846AW-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
BC846B-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC846BL TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC846BQ62702-C1746 TRANSISTOR SOT-23
BC847AL TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.1A 30V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SC-70
BC848W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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