型號(hào): | BC847AL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 45V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 67K |
代理商: | BC847AL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC847BW-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
BC847CL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC848AL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC848AW-7 | MEMORY, 168 PIN PC-100 64MB SDR |
BC848B-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC847ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847ALT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
BC847ALT1THRUBC850ALT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistors |
BC847ALT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |