參數(shù)資料
型號： BC848CF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： BC848CF
1999 May 18
5
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN general purpose transistors
BC846F; BC847F; BC848F series
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
98-10-23
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.33
0.23
0.2
0.1
1.7
1.5
0.95
0.75
0.5
e
1.0
1.7
1.5
0.1
0.1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.5
0.3
SOT490
SC-89
bp
D
e1
e
A
Lp
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
0.8
0.6
c
X
1
2
3
Plastic surface mounted package; 3 leads
SOT490
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846F NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847F High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846AW-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848C-G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM SIGNAL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
BC848CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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