參數(shù)資料
型號(hào)： BC847CDW1T1
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363
中文描述： 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 363
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： BC847CDW1T1
DS30274 Rev. A-2
2 of 3
BC847AT, BT, CT
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
DC Current Gain (Note 3)
Current Gain A
B
C
Current Gain A
B
C
h
FE
—
—
—
110
200
420
—
150
270
—
290
520
—
—
—
220
450
800
—
V
CE
= 5.0V, I
C
= 2.0mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
V
CE(SAT)
—
—
250
600
mV
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5.0mA
Base-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
V
BE(SAT)
—
700
900
—
mV
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5.0mA
Base-Emitter Voltage (Note 3)
V
BE
580
—
660
—
700
770
mV
V
CE
= 5.0V, I
C
= 2.0mA
V
CE
=5.0V, I
C
= 10mA
Collector-Emitter Cutoff Current (Note 3)
I
CBO
I
CBO
—
—
15
5.0
nA
μA
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V, T
A
= 150°C
Gain Bandwidth Product
f
T
100
—
—
MHz
V
CE
= 5.0V, I
C
= 10mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
C
OBO
—
—
4.5
pF
V
CB
= 10V, f = 1.0MHz
BC847BT
Noise Figure BC847CT
NF
—
—
10
4.0
dB
V
CE
= 5V, R
S
= 2.0k
f = 1.0kHz, BW= 200Hz
N
Notes:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC847BLT3 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC847CT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC847CT-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523
BC847CTT1 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
BC847 SOT23 NPN SILICON PLANAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847CDW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847CDW1T1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A 6PIN SC-88 - Tape and Reel
BC847CDXV6T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847CDXV6T1/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
BC847CDXV6T1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*