型號(hào): | BC847CDW1T1 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-363 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|一對(duì)|叩| 45V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SOT - 363 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 60K |
代理商: | BC847CDW1T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC847BLT3 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC847CT116 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346 |
BC847CT-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523 |
BC847CTT1 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
BC847 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC847CDW1T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CDW1T1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A 6PIN SC-88 - Tape and Reel |
BC847CDXV6T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CDXV6T1/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors |
BC847CDXV6T1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors |