型號(hào): | BC846BL |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 65V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)| SOT - 23封裝 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/2頁(yè) |
文件大小: | 67K |
代理商: | BC846BL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC846BQ62702-C1746 | TRANSISTOR SOT-23 |
BC847AL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC847BW-7 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
BC847CL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC848AL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC846BLP4 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:65V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
BC846BLP4-7B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC846BLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC846BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC846BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 65V, 0.1A, SOT23 |