參數(shù)資料
型號： BC808-40L
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管|晶體管|進步黨| 25V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 102K
代理商： BC808-40L
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC818.16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC818.25 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC818.40 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA
BC807.25 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
BC807.40 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC808-40LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC808-40LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC80840MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC808-40T/R13" 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC80840TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*