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參數(shù)資料
| 型號： | BC807.40 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-226AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至226AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | BC807.40 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC807-16L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| BC807-40L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| BC807DS | TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-74 |
| BC817.16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
| BC817.25 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC807-40 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC807-40 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC807-40 E6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BC807-40 RFG | 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.5A, 25 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:200nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 |
| BC807-40,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP 500MA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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