參數(shù)資料
型號： BC640AMO
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： BC640AMO
1999 Apr 23
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BC636; BC638; BC640
FEATURES
High current (max. 1 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
Audio and video amplifiers.
DESCRIPTION
PNP medium power transistor in a TO-92; SOT54 plastic
package. NP complements: BC635, BC637 and BC639.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM285
2
1
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC636
BC638
BC640
collector-emitter voltage
BC636
BC638
BC640
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
45
60
80
5
1
1.5
200
0.83
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
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PDF描述
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