參數(shù)資料
型號(hào)： BC640AMO
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BC640AMO
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 07
1999 Apr 23
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC636; BC638; BC640
PNP medium power transistors
book, halfpage
M3D186
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC636-16 PNP medium power transistors
BC636 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
BC637 NPN medium power transistors
BC639 NPN medium power transistors
BC637 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC640BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC640G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC640T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC640-T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92
BC640TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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