參數(shù)資料
型號： BC640-16
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP medium power transistors
中文描述： 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商： BC640-16
1999 Apr 23
7
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BC636; BC638; BC640
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC638AMO TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC640-10 TRANSISTOR TO-92
BC640AMO TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC636-16 PNP medium power transistors
BC636 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC640-16G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors
BC640AMO 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BC640BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC640G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC640T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
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