參數(shù)資料
型號: BC636
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
中文描述: 互補硅晶體管
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 43K
代理商: BC636
1999 Apr 23
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BC636; BC638; BC640
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43
97-02-28
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC637 NPN medium power transistors
BC639 NPN medium power transistors
BC637 COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
BC637-16 NPN medium power transistors
BC639-10 NPN medium power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC636 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC636,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC636 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92
BC636/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Current Transistor PNP
BC636_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor