參數(shù)資料
型號(hào)： BC559
英文描述： PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨硅自動(dòng)對(duì)焦小信號(hào)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC559
1999 May 28
5
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose transistor
BC559
PACKAGE OUTLINE
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
5.2
5.0
b
0.48
0.40
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
L
14.5
12.7
e
2.54
e1
1.27
L1
(1)
2.5
b1
0.66
0.56
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
SOT54
TO-92
SC-43
97-02-28
A
L
0
2.5
5 mm
scale
b
c
D
b
1
L1
d
E
Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
SOT54
e1
e
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC559 Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC559B Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC559C Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC559 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE)
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參數(shù)描述
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BC559_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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